+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C8016A-55BIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C8016A-55BIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Access Time Max
55 ns
Pin Sayısı
48
Write Cycle Time Word Page
55ns
Parça Durumu
Active
Memory Width
16
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Adımı
0.75mm
Terminal Sayısı
48
Yayın Yılı
1997
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Radyasyon Dayanımı
No
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
48
Address Bus Width
19b
Memory Interface
Parallel
Memory Size
8Mb 512K x 16
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Kılıf / Paket
48-VFBGA
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kurşunsuz Kodu
yes
Besleme Gerilimi
3.3V
Number Of Ports
1
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Memory Types
Volatile
Operating Supply Voltage
3.3V
Memory Format
SRAM
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kurşunsuz
Lead Free
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Density
8 Mb

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek