+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C8016-55BIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C8016-55BIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Supply Voltagemax Vsup
5.5V
Power Supplies
3/5V
Reach Svhc
No SVHC
Standby Currentmax
0.00005A
Kılıf / Paket
48-LFBGA
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Uzunluk
8mm
Besleme Gerilimi
3V
Number Of Ports
1
Io Type
COMMON
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Memory Types
Volatile
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Standby Voltagemin
2V
Operating Supply Voltage
3V
Memory Format
SRAM
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Usage Level
Industrial grade
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Density
8 Mb
Output Characteristics
3-STATE
Access Time Max
55 ns
Write Cycle Time Word Page
55ns
Pin Sayısı
48
Parça Durumu
Active
Memory Width
16
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Adımı
0.75mm
Terminal Sayısı
48
Yayın Yılı
2008
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Radyasyon Dayanımı
No
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
48

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek