+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C6264-55SCN

Alliance Memory, Inc.

AS6C6264-55SCN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Parça Durumu
Active
Memory Width
8
Output Characteristics
3-STATE
Access Time Max
55 ns
Write Cycle Time Word Page
55ns
Pin Sayısı
28
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Terminal Sayısı
28
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Radyasyon Dayanımı
No
Yayın Yılı
2005
Terminal Pozisyonu
DUAL
Memory Size
64Kb 8K x 8
ECCN Kodu
EAR99
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
28
Address Bus Width
13b
Organization
8KX8
Memory Interface
Parallel
Kılıf / Paket
28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)
Montaj Tipi
Surface Mount
Power Supplies
3/5V
Supply Voltagemax Vsup
5.5V
Besleme Gerilimi
3V
Io Type
COMMON
Number Of Ports
1
Ambalaj
Tube
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kurşunsuz Kodu
yes
Memory Types
Volatile
Yüzey Montaj
YES
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Maks. Oturma Yüksekliği
3.048mm
Usage Level
Commercial grade
Density
64 kb
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Memory Format
SRAM
Operating Supply Voltage
3V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek