+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C62256-55SIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C62256-55SIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Usage Level
Industrial grade
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Density
256 kb
Operating Supply Voltage
3.3V
Standby Voltagemin
2V
Memory Format
SRAM
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kurşunsuz
Lead Free
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Types
Volatile
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Terminal Kaplaması
MATTE TIN/TIN BISMUTH
Besleme Gerilimi
3.3V
Uzunluk
18.49mm
Number Of Ports
1
Yükseklik
2.49mm
Io Type
COMMON
Ambalaj
Tube
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)
Supply Voltagemax Vsup
5.5V
Power Supplies
3/5V
Standby Currentmax
0.00002A
Genişlik
8.64mm
Memory Size
256Kb 32K x 8
Pin Sayısı
28
Address Bus Width
15b
Fonksiyon Sayısı
1
ECCN Kodu
EAR99
Memory Interface
Parallel
Organization
32KX8
JESD-609 Kodu
e3/e6
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
250
Reverse Pinout
YES
Radyasyon Dayanımı
No
Yayın Yılı
2005
Terminal Pozisyonu
DUAL
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek