Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Reverse Pinout
- YES
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 250
- JESD-609 Kodu
- e3/e6
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 2005
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Organization
- 32KX8
- Memory Interface
- Parallel
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 28
- Address Bus Width
- 15b
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Width
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 28
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Access Time Max
- 55 ns
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Terminal Sayısı
- 28
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Volatile
- Yüzey Montaj
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 3.048mm
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN/TIN BISMUTH
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~5.5V
- Density
- 256 kb
- Usage Level
- Commercial grade
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Format
- SRAM
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory