+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C4008-55SINTR

Alliance Memory, Inc.

AS6C4008-55SINTR

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
JESD-609 Kodu
e3/e6
Terminal Pozisyonu
DUAL
Yayın Yılı
2013
Genişlik
11.303mm
Memory Size
4Mb 512K x 8
Memory Interface
Parallel
Organization
512KX8
ECCN Kodu
EAR99
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
32
Memory Width
8
Parça Durumu
Active
Pin Sayısı
32
Write Cycle Time Word Page
55ns
Access Time Max
55 ns
Output Characteristics
3-STATE
Terminal Sayısı
32
Terminal Adımı
1.27mm
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Yüzey Montaj
YES
Memory Types
Volatile
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Maks. Oturma Yüksekliği
2.997mm
Terminal Kaplaması
PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
Density
4 Mb
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Usage Level
Industrial grade
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kurşunsuz
Lead Free
Qualification Status
Not Qualified
Memory Format
SRAM
Standby Voltagemin
1.5V
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
Standby Currentmax
0.00003A
Supply Voltagemax Vsup
5.5V
Power Supplies
3/5V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek