Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 2006
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Interface
- Parallel
- ECCN Kodu
- EAR99
- Pin Sayısı
- 32
- Address Bus Width
- 19b
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Genişlik
- 11.3mm
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Max Supply Current
- 60mA
- Pin Sayısı
- 32
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Access Time Max
- 55 ns
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Parça Durumu
- Active
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Terminal Sayısı
- 32
- Montaj
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Memory Types
- Volatile
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Memory Format
- SRAM
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Standby Voltagemin
- 2V
- Density
- 4 Mb
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~5.5V
- Usage Level
- Industrial grade
- Standby Currentmax
- 0.00003A
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Power Supplies
- 3/5V
- Reach Svhc
- No SVHC
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory