Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Supply Current
- 60mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Weight
- 2.214806g
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Yayın Yılı
- 2006
- Montaj
- Through Hole
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Access Time Max
- 55 ns
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~5.5V
- Ambient Temperature Range High
- 70°C
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Memory Types
- Volatile
- Number Of Ports
- 1
- Io Type
- COMMON
- Yükseklik
- 5.588mm
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Nominal Supply Current
- 30mA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Reach Svhc
- No SVHC
- Genişlik
- 13.818mm
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 32
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Address Bus Width
- 19b
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 32
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 32
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Density
- 4 Mb
- Usage Level
- Commercial grade
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Format
- SRAM
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory