+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C2008A-55STIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C2008A-55STIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Terminal Adımı
0.5mm
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Sayısı
32
Access Time Max
55 ns
Output Characteristics
3-STATE
Pin Sayısı
32
Write Cycle Time Word Page
55ns
Parça Durumu
Active
Memory Width
8
Address Bus Width
18b
Pin Sayısı
32
Fonksiyon Sayısı
1
Memory Interface
Parallel
Organization
256KX8
Memory Size
2Mb 256K x 8
Yayın Yılı
2007
Terminal Pozisyonu
DUAL
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Ambalaj
Tray
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Besleme Gerilimi
3V
Io Type
COMMON
Number Of Ports
1
Supply Voltagemax Vsup
5.5V
Power Supplies
3/5V
Standby Currentmax
0.00002A
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)
Memory Format
SRAM
Operating Supply Voltage
3V
Standby Voltagemin
2V
Qualification Status
Not Qualified
Kurşunsuz
Lead Free
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Density
2 Mb
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Memory Types
Volatile
Yüzey Montaj
YES

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek