+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C2008-55STIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C2008-55STIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
32
Address Bus Width
18b
Memory Interface
Parallel
Organization
256KX8
Memory Size
2Mb 256K x 8
Yayın Yılı
2006
Terminal Pozisyonu
DUAL
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Terminal Adımı
0.5mm
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Sayısı
32
Output Characteristics
3-STATE
Access Time Max
55 ns
Write Cycle Time Word Page
55ns
Pin Sayısı
32
Parça Durumu
Active
Memory Width
8
Memory Format
SRAM
Supply Currentmax
0.035mA
Operating Supply Voltage
3V
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kurşunsuz
Lead Free
Qualification Status
Not Qualified
Usage Level
Industrial grade
Density
2 Mb
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Types
Volatile
Yüzey Montaj
YES
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Ambalaj
Tray
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kurşunsuz Kodu
yes
Besleme Gerilimi
3V
Io Type
COMMON
Number Of Ports
1
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Kılıf / Paket
32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek