+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C1008-55TIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C1008-55TIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Types
Volatile
Kurşunsuz
Lead Free
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Operating Supply Voltage
3V
Memory Format
SRAM
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Density
1 Mb
Supply Voltagemax Vsup
5.5V
Reach Svhc
No SVHC
Kılıf / Paket
32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Montaj Tipi
Surface Mount
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Ambalaj
Tray
Number Of Ports
1
Io Type
COMMON
Yükseklik
1mm
Uzunluk
8mm
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Yayın Yılı
2006
Radyasyon Dayanımı
No
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Memory Interface
Parallel
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
32
Address Bus Width
17b
ECCN Kodu
EAR99
Memory Size
1Mb 128K x 8
Genişlik
18.4mm
Write Cycle Time Word Page
55ns
Pin Sayısı
32
Access Time Max
55 ns
Output Characteristics
3-STATE
Parça Durumu
Active
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Montaj
Surface Mount
Terminal Sayısı
32

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek