+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C1008-55SIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C1008-55SIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Address Bus Width
17b
Pin Sayısı
32
Fonksiyon Sayısı
1
Memory Interface
Parallel
Genişlik
11.3mm
Memory Size
1Mb 128K x 8
Max Supply Current
60mA
Yayın Yılı
2006
Terminal Pozisyonu
DUAL
JESD-609 Kodu
e3
Radyasyon Dayanımı
No
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Montaj
Surface Mount
Terminal Sayısı
32
Access Time Max
55 ns
Output Characteristics
3-STATE
Write Cycle Time Word Page
55ns
Pin Sayısı
32
Parça Durumu
Active
Memory Format
SRAM
Operating Supply Voltage
3V
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kurşunsuz
Lead Free
Usage Level
Industrial grade
Density
1 Mb
Besleme Gerilimi
2.7V~5.5V
Terminal Kaplaması
Tin (Sn)
Memory Types
Volatile
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Ambalaj
Tube
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Besleme Gerilimi
3V
Uzunluk
20.75mm
Yükseklik
2.82mm
Io Type
COMMON
Number Of Ports
1
Reach Svhc
No SVHC
Supply Voltagemax Vsup
5.5V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek