+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS4C512M16D3L-12BIN

Alliance Memory, Inc.

AS4C512M16D3L-12BIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj
YES
Qualification Status
Not Qualified
Memory Format
DRAM
ECCN Kodu
EAR99
Montaj Tipi
Surface Mount
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~95°C TC
Kılıf / Paket
96-TFBGA
Interleaved Burst Length
8
Additional Feature
AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
Sequential Burst Length
8
Ambalaj
Tray
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Width
16
Output Characteristics
3-STATE
Access Time
13.75ns
Fonksiyon Sayısı
1
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Jesd30 Code
R-PBGA-B96
Besleme Gerilimi
1.35V
Terminal Sayısı
96
Refresh Cycles
8192
Besleme Gerilimi
1.283V~1.45V
Uzunluk
14mm
Power Supplies
1.35V
Memory Types
Volatile
Io Type
COMMON
Standby Currentmax
0.011A
Memory Density
8589934592 bit
Kurşunsuz
Lead Free
Genişlik
9mm
Memory Interface
Parallel
Supply Voltagemin Vsup
1.283V
Number Of Ports
1
Parça Durumu
Active
Yayın Yılı
2015
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Yükseklik
1.2mm
Organization
512MX16
Clock Frequency
800MHz

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek