Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Genişlik
- 10.16mm
- Memory Interface
- Parallel
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Ports
- 1
- Memory Types
- Volatile
- Memory Density
- 67108864 bit
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Write Cycle Time Word Page
- 2ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Clock Frequency
- 143MHz
- Memory Size
- 64Mb 2M x 32
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2013
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 2MX32
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Format
- DRAM
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- ECCN Kodu
- EAR99
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G86
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Terminal Sayısı
- 86
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 22.22mm
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Kılıf / Paket
- 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Usage Level
- Commercial grade
- Access Time
- 5.5ns
- Ambalaj
- Tray
- Terminal Adımı
- 0.5mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory