Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- DRAM
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Density
- 64 Mb
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 90
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Address Bus Width
- 10b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Kılıf / Paket
- 90-TFBGA
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Access Time
- 5.4ns
- Usage Level
- Industrial grade
- Memory Width
- 32
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Ambalaj
- Tray
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Refresh Cycles
- 4096
- Terminal Sayısı
- 90
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 13mm
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Standby Currentmax
- 0.002A
- Memory Types
- Volatile
- Io Type
- COMMON
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Data Bus Width
- 32b
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Interface
- Parallel
- Number Of Ports
- 1
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Clock Frequency
- 166MHz
- Memory Size
- 64Mb 2M x 32
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory