Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Sayısı
- 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Contact Plating
- Gold
- Uzunluk
- 6mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Clock Frequency
- 85MHz
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Yayın Yılı
- 2012
- JESD-609 Kodu
- e4
- Parça Durumu
- Active
- Memory Width
- 1
- Programming Voltage
- 3V
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Format
- FLASH
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Density
- 16 Mb
- Serial Bus Type
- SPI
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Access Time
- 8 ns
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Montaj
- Surface Mount
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Organization
- 16MX1
- Standby Currentmax
- 0.00001A
- Write Cycle Time Word Page
- 8μs, 6ms
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Page Size
- 528B
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Size
- 16Mb 528Bytes x 4096 pages
- Data Retention Timemin
- 20
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Ambalaj
- Tray
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory