Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Yayın Yılı
- 2012
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Clock Frequency
- 85MHz
- Parça Durumu
- Active
- JESD-609 Kodu
- e4
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Sayısı
- 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Contact Plating
- Gold
- Access Time
- 7 ns
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Width
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Memory Format
- FLASH
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Density
- 64 Mb
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~3.6V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 2.3V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Montaj
- Surface Mount
- Organization
- 64MX1
- Write Cycle Time Word Page
- 8μs, 5ms
- Memory Interface
- SPI
- Data Bus Width
- 8b
- Pin Sayısı
- 8
- Max Supply Current
- 22mA
- Kılıf / Paket
- 8-VDFN Exposed Pad
- Interface
- SPI, Serial
- Memory Size
- 64Mb 256Bytes x 32K pages
- Pin Sayısı
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory