Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Write Cycle Time Word Page
- 8μs, 3ms
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Data Retention Timemin
- 20
- Pin Sayısı
- 8
- Interface
- SPI, Serial
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Pin Sayısı
- 8
- Data Bus Width
- 8b
- Uzunluk
- 4.925mm
- Address Bus Width
- 22b
- Yayın Yılı
- 1997
- Density
- 2 Mb
- Memory Format
- FLASH
- Memory Width
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Serial Bus Type
- SPI
- Organization
- 2MX1
- Syncasync
- Synchronous
- Montaj
- Surface Mount
- Page Size
- 256B
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Memory Size
- 2Mb 256Bytes x 1024 pages
- Nominal Supply Current
- 16mA
- Memory Interface
- SPI
- Qualification Status
- Not Qualified
- Contact Plating
- Gold
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Terminal Sayısı
- 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- JESD-609 Kodu
- e4
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory