Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Write Cycle Time Word Page
- 5μs, 2.5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~3.6V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 8-UFDFN Exposed Pad
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Access Time
- 8 ns
- Interface
- SPI, Serial
- Clock Frequency
- 104MHz
- Memory Interface
- SPI
- Serial Bus Type
- SPI
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e4
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Organization
- 4MX1
- Memory Width
- 1
- Memory Format
- FLASH
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Density
- 32 Mb
- Yayın Yılı
- 2014
- Programming Voltage
- 2.7V
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Uzunluk
- 3mm
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Genişlik
- 2mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory