Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Data Retention Timemin
- 20
- Address Bus Width
- 20b
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e4
- Data Bus Width
- 8b
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Format
- FLASH
- Density
- 8 Mb
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Width
- 1
- Uzunluk
- 6mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 1997
- Ambalaj
- Tray
- Memory Size
- 8Mb 256Bytes x 4096 pages
- Pin Sayısı
- 8
- Page Size
- 256B
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Contact Plating
- Gold
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Write Cycle Time Word Page
- 8μs, 3ms
- Parça Durumu
- Active
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- Kılıf / Paket
- 8-UDFN Exposed Pad
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~1.95V
- Standby Currentmax
- 0.000014A
- Access Time
- 5 ns
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory