Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- JESD-609 Kodu
- e4
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Organization
- 4MX1
- Memory Width
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parallelserial
- SERIAL
- Memory Format
- FLASH
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Programming Voltage
- 1.8V
- Yayın Yılı
- 2013
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Uzunluk
- 6mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Genişlik
- 5mm
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Write Cycle Time Word Page
- 8μs, 2.5ms
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Kılıf / Paket
- 8-UDFN Exposed Pad
- Memory Density
- 4194304 bit
- Clock Frequency
- 104MHz
- Memory Interface
- SPI
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory