CSD25501F3

Specifications

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vgs Max

-20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

385pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

3.6A Ta

Rds On Max Id Vgs

76m Ω @ 400mA, 4.5V

Thickness

200μm

Seri

FemtoFET™

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.8V 4.5V

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation Max

500mW Ta

Temel Parça No

CSD25501

Vgsth Max Id

1.05V @ 250μA

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

690μm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

600μm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Fet Type

P-Channel

Terminal Formu

NO LEAD

Transistor Element Material

SILICON

Gate Charge Qg Max Vgs

1.33nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

3-XFLGA

Drainsource On Resistancemax

0.125Ohm

ECCN Kodu

EAR99