CSD25485F5

Specifications

ECCN Kodu

EAR99

Drainsource On Resistancemax

0.07Ohm

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Fet Type

P-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Gate Charge Qg Max Vgs

3.5nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

3-SMD, No Lead

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

3.2A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

730μm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

1.3V @ 250μA

Pin Sayısı

3

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Element Configuration

Single

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Uzunluk

1.49mm

Terminal Sayısı

3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

500mW Ta

Temel Parça No

CSD25485

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Input Capacitance Ciss Max Vds

533pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

3.2A Ta

Rds On Max Id Vgs

35m Ω @ 900mA, 8V

Thickness

338μm

Seri

FemtoFET™

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.8V 8V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vgs Max

-12V