CSD23285F5T

Specifications

Seri

FemtoFET™

Thickness

338μm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.5V 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

628pF @ 6V

Rds On Max Id Vgs

35m Ω @ 1A, 4.5V

Current Continuous Drain Id25

5.4A Ta

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vgs Max

-6V

Temel Parça No

CSD23285

Power Dissipation Max

500mW Ta

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

5.4A

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

730μm

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Voltage Vdss

12V

Element Configuration

Single

Ds Breakdown Voltagemin

12V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Uzunluk

1.49mm

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Vgsth Max Id

950mV @ 250μA

Feedback Capmax Crss

48 pF

Gate Charge Qg Max Vgs

4.2nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

3-SMD, No Lead

Fet Type

P-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Transistor Element Material

SILICON