CSD19538Q3A

Specifications

Vgs Max

±20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

59m Ω @ 5A, 10V

Current Continuous Drain Id25

15A Ta

Input Capacitance Ciss Max Vds

454pF @ 50V

Seri

NexFET™

Thickness

800μm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Uzunluk

3.3mm

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Continuous Drain Current Id

15A

Case Connection

DRAIN

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

4.3nC @ 10V

Drainsource On Resistancemax

0.072Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

6V 10V

Power Dissipation Max

2.8W Ta 23W Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

CSD19538

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

3.8V @ 250μA

Terminal Sayısı

5

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Element Configuration

Single

Genişlik

3.3mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)