CSD18512Q5B

Specifications

Vgs Max

±20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

7120pF @ 20V

Rds On Max Id Vgs

1.6m Ω @ 30A, 10V

Current Continuous Drain Id25

211A Tc

Seri

NexFET™

Thickness

950μm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Parça Durumu

Active

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Yüzey Montaj

YES

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation Max

139W Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Avalanche Energy Rating Eas

205 mJ

Temel Parça No

CSD18512

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Pin Sayısı

8

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Element Configuration

Single

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Uzunluk

5mm

Terminal Sayısı

5

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

6mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

JESD-609 Kodu

e4

Case Connection

DRAIN

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

NO LEAD

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)