CSD18511Q5A

Specifications

Input Capacitance Ciss Max Vds

5850pF @ 10V

Rds On Max Id Vgs

3.5m Ω @ 24A, 4.5V

Current Continuous Drain Id25

159A Tc

Seri

NexFET™

Thickness

1mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vgs Max

±20V

Avalanche Energy Rating Eas

157 mJ

Parça Durumu

Active

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Case Connection

DRAIN

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Uzunluk

4.9mm

Drainsource On Resistancemax

0.0035Ohm

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

63nC @ 10V

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Power Dissipation Max

104W Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

CSD18511

Yüzey Montaj

YES

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

6mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

2.45V @ 250μA

Pin Sayısı

8