STP10N62K3

Specifications

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

31 ns

Current Continuous Drain Id25

8.4A Tc

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

1250pF @ 50V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Seri

SuperMESH3™

Nominal Vgs

3.75 V

Montaj

Through Hole

Genişlik

4.6mm

Avalanche Energy Rating Eas

220 mJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Direnç

680mOhm

Gate Charge Qg Max Vgs

42nC @ 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Turn On Delay Time

14.5 ns

Turn Off Delay Time

41 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Temel Parça No

STP10

Continuous Drain Current Id

8.4A

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation Max

125W Tc

Vgs Max

±30V

Jedec95 Code

TO-220AB

Threshold Voltage

3.75V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Parça Durumu

Obsolete

Yükseklik

15.75mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3