STB9NK50ZT4

Specifications

Akım Değeri

7.2A

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Not For New Designs

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

910pF @ 25V

Turn Off Delay Time

45 ns

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fall Time Typ

22 ns

Continuous Drain Current Id

7.2A

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation Max

110W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Current Continuous Drain Id25

7.2A Tc

Yükseklik

4.6mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

9.35mm

Threshold Voltage

3.75V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Pulsed Drain Currentmax Idm

28.8A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation

110W

Vgs Max

±30V

Seri

SuperMESH™

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Rds On Max Id Vgs

850m Ω @ 3.6A, 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Voltage Rated Dc

500V