RW1A030APT2CR

Specifications

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Ds Breakdown Voltagemin

12V

Power Dissipation Max

700mW Ta

Continuous Drain Current Id

3A

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Not For New Designs

Input Capacitance Ciss Max Vds

2700pF @ 6V

Current Continuous Drain Id25

3A Ta

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

-8V

Drain To Source Voltage Vdss

12V

Yayın Yılı

2009

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

6

Terminal Formu

FLAT

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.5V 4.5V

Montaj

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

42m Ω @ 3A, 4.5V

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Element Material

SILICON

Gate Charge Qg Max Vgs

22nC @ 4.5V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Pin Sayısı

6

Fet Type

P-Channel

Drain Currentmax Abs Id

3A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99