RVQ040N05TR

Specifications

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Input Capacitance Ciss Max Vds

530pF @ 10V

Rise Time

15ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Genişlik

1.8mm

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Continuous Drain Current Id

4A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

45V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

1.25W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Turn Off Delay Time

40 ns

Transistor Application

SWITCHING

Fet Type

N-Channel

Montaj

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e1

Current Continuous Drain Id25

4A Ta

Uzunluk

3mm

Yükseklik

950μm

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Yayın Yılı

2012

Drainsource On Resistancemax

0.074Ohm

Fall Time Typ

15 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99