RUM002N05T2L

Specifications

Input Capacitance Ciss Max Vds

25pF @ 10V

Kılıf / Paket

SOT-723

Parça Durumu

Active

Turn On Delay Time

4 ns

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Power Dissipation Max

150mW Ta

Rds On Max Id Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Formu

FLAT

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

200mA

Turn Off Delay Time

15 ns

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

JESD-609 Kodu

e2

Current Continuous Drain Id25

200mA Ta

Drainsource On Resistancemax

2.4Ohm

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Rise Time

6ns

Fall Time Typ

55 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Drain To Source Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

2010

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.2V 4.5V