RUL035N02TR

Specifications

Rds On Max Id Vgs

43m Ω @ 3.5A, 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Power Dissipation Max

320mW Ta

Input Capacitance Ciss Max Vds

460pF @ 10V

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Parça Durumu

Active

Turn On Delay Time

10 ns

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

JESD-609 Kodu

e2

Genişlik

1.8mm

Current Continuous Drain Id25

3.5A Ta

Continuous Drain Current Id

3.5A

Turn Off Delay Time

40 ns

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

5.7nC @ 4.5V

Yükseklik

820μm

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2013

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Power Dissipation

1W

Montaj

Surface Mount

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Fall Time Typ

50 ns

Rise Time

20ns

Radyasyon Dayanımı

No

Drainsource On Resistancemax

0.053Ohm

Element Configuration

Single