RSM002N06T2L

Specifications

Radyasyon Dayanımı

No

Drain Currentmax Abs Id

0.25A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Kurşunsuz Kodu

yes

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Montaj

Surface Mount

Rise Time

5ns

Rds On Max Id Vgs

2.4 Ω @ 250mA, 10V

Current Continuous Drain Id25

250mA Ta

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

250mA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

3

Power Dissipation Max

150mW Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yayın Yılı

2010

Vgsth Max Id

2.3V @ 1mA

Drain To Source Voltage Vdss

60V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

SOT-723

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Turn Off Delay Time

18 ns

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

15pF @ 25V

Terminal Formu

FLAT

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.5V 10V

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn On Delay Time

3.5 ns

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks