RSF010P03TL

Specifications

Nominal Vgs

-2.5 V

Rds On Max Id Vgs

350m Ω @ 1A, 10V

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Dual Supply Voltage

-30V

Fet Type

P-Channel

Turn Off Delay Time

20 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Drain Currentmax Abs Id

1A

Rise Time

11ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance Ciss Max Vds

120pF @ 10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal

SMD/SMT

Current Continuous Drain Id25

1A Ta

Transistor Element Material

SILICON

Reach Svhc

No SVHC

Gate Charge Qg Max Vgs

1.9nC @ 5V

Parça Durumu

Not For New Designs

Turn On Delay Time

8 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

Power Dissipation Max

800mW Ta

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

JESD-609 Kodu

e2

Kılıf / Paket

3-SMD, Flat Lead

Direnç

630MOhm

Yayın Yılı

2007

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V