RSD050N10TL

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Fet Type

N-Channel

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fall Time Typ

15 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

5A Ta

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgs Max

±20V

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

2.3mm

Radyasyon Dayanımı

No

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Genişlik

5.5mm

Turn Off Delay Time

45 ns

Pin Sayısı

3

Drain Currentmax Abs Id

5A

JESD-609 Kodu

e2

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Terminal Formu

GULL WING

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Turn On Delay Time

10 ns

Uzunluk

6.5mm

Terminal Sayısı

2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Continuous Drain Current Id

5A

Transistor Application

SWITCHING

Gate To Source Voltage Vgs

20V