RRF015P03TL

Specifications

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Fall Time Typ

13 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

1.8mm

Continuous Drain Current Id

1.5A

Yayın Yılı

2012

Kılıf / Paket

3-SMD, Flat Lead

Turn On Delay Time

12 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

6.4nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

160m Ω @ 1.5A, 10V

Yükseklik

820μm

Drainsource On Resistancemax

0.16Ohm

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

40 ns

Element Configuration

Single

Vgs Max

±20V

Fet Type

P-Channel

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation Max

320mW Ta

Input Capacitance Ciss Max Vds

230pF @ 10V

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

2.1mm

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

8ns

Current Continuous Drain Id25

1.5A Ta

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Number Of Elements

1