RHK003N06FRAT146

Specifications

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Power Dissipation Max

200mW Ta

Terminal Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

300mA

Reference Standard

AEC-Q101

Vgs Max

±20V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Gate Charge Qg Max Vgs

6nC @ 10V

Drainsource On Resistancemax

1.5Ohm

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2006

Threshold Voltage

2.5V

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Reach Svhc

Unknown

Rds On Max Id Vgs

1 Ω @ 300mA, 10V

Current Continuous Drain Id25

300mA Ta

Input Capacitance Ciss Max Vds

33pF @ 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V