NVF6P02T3G

Specifications

Drainsource On Resistancemax

0.05Ohm

Input Capacitance Ciss Max Vds

1200pF @ 16V

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Turn On Delay Time

8 ns

Fet Type

P-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 4.5V

Parça Durumu

Not For New Designs

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

6.7mm

Continuous Drain Current Id

10A

Rise Time

30ns

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 6A, 4.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Breakdown Voltage

-25V

Fall Time Typ

60 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.5V 4.5V

Pulsed Drain Currentmax Idm

35A

Vgs Max

±8V

Pin Sayısı

4

Current Continuous Drain Id25

10A Ta

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

8.3W Ta

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

4

Genişlik

3.7mm

Pin Sayısı

4

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation

8.3W

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Yayın Yılı

2007

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.65mm