NVF2955T1G

Specifications

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

14.3nC @ 10V

Fet Type

P-Channel

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

11 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

492pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Drain To Source Breakdown Voltage

-60V

Fall Time Typ

38 ns

Avalanche Energy Rating Eas

225 mJ

Rise Time

7.6ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

170m Ω @ 750mA, 10V

Continuous Drain Current Id

2.6A

Uzunluk

6.7mm

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

3.7mm

Terminal Sayısı

4

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation Max

1W Ta

Current Continuous Drain Id25

2.6A Ta

Pin Sayısı

4

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2008

Direnç

170MOhm

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Power Dissipation

2.3W

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING