NVD6820NLT4G

Specifications

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

19 ns

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

4209pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate Charge Qg Max Vgs

44nC @ 4.5V

Fet Type

N-Channel

Ds Breakdown Voltagemin

90V

Drainsource On Resistancemax

0.0205Ohm

Drain Currentmax Abs Id

50A

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Vgs Max

±20V

Continuous Drain Current Id

10A

Fall Time Typ

59 ns

Rise Time

98ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

16.7m Ω @ 20A, 10V

Yüzey Montaj

YES

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2013

Drain To Source Voltage Vdss

90V

Power Dissipation

4W

Power Dissipation Max

4W Ta 100W Tc

Current Continuous Drain Id25

10A Ta 50A Tc

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Turn Off Delay Time

36 ns

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA