NVD5867NLT4G

Specifications

Drain Currentmax Abs Id

6A

Drainsource On Resistancemax

0.05Ohm

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

675pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

48 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Turn On Delay Time

6.5 ns

Rise Time

12.6ns

Rds On Max Id Vgs

39m Ω @ 11A, 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fall Time Typ

2.4 ns

Uzunluk

6.73mm

Continuous Drain Current Id

22A

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Pulsed Drain Currentmax Idm

85A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Genişlik

6.22mm

Pin Sayısı

4

Current Continuous Drain Id25

6A Ta 22A Tc

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation Max

3.3W Ta 43W Tc

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Power Dissipation

3.3W

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2010

Pin Sayısı

4

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3