NVD5862NT4G

Specifications

Input Capacitance Ciss Max Vds

6000pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

18 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

82nC @ 10V

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation

4.1W

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Yayın Yılı

2010

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Continuous Drain Id25

18A Ta 98A Tc

Pin Sayısı

3

Drainsource On Resistancemax

0.0057Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Power Dissipation Max

4.1W Ta 115W Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Drain Currentmax Abs Id

98A

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kurşunsuz Kodu

yes

Turn Off Delay Time

35 ns

Vgs Max

±20V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)

Element Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

18A

Case Connection

DRAIN

Rise Time

70ns

JESD-609 Kodu

e3