NVD5807NT4G

Specifications

Case Connection

DRAIN

Element Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

23A

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

2 ns

JESD-609 Kodu

e3

Rise Time

20.4ns

Rds On Max Id Vgs

31m Ω @ 5A, 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs Max

±20V

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Power Dissipation Max

33W Tc

Pin Sayısı

4

Current Continuous Drain Id25

23A Tc

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

4

Input Capacitance Ciss Max Vds

603pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

25 Weeks

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Parça Durumu

Obsolete

Yayın Yılı

2014

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)