NVD5802NT4G

Specifications

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yayın Yılı

2009

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Power Dissipation Max

2.5W Ta 93.75W Tc

Pin Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

16.4A Ta 101A Tc

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Genişlik

6.73mm

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Turn Off Delay Time

39 ns

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

Vgsth Max Id

3.5V @ 250μA

Case Connection

DRAIN

Element Configuration

Single

Yükseklik

2.38mm

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

JESD-609 Kodu

e3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Turn On Delay Time

14 ns

Fabrika Tedarik Süresi

27 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

5300pF @ 12V

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

100nC @ 10V

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Drainsource On Resistancemax

0.0078Ohm

Drain Currentmax Abs Id

16.4A