NVD4804NT4G

Specifications

Drainsource On Resistancemax

0.0055Ohm

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Gate Charge Qg Max Vgs

40nC @ 4.5V

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

4490pF @ 12V

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

18 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

4m Ω @ 30A, 11.5V

Continuous Drain Current Id

19.6A

Uzunluk

6.73mm

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 11.5V

Pulsed Drain Currentmax Idm

230A

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

7.49mm

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

14.5A Ta 124A Tc

Pin Sayısı

4

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

1.43W Ta 107W Tc

Power Dissipation

2.66W

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yayın Yılı

1997

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Pin Sayısı

4

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V