NTTFS4C05NTWG

Specifications

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Case Connection

DRAIN

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Formu

FLAT

JESD-609 Kodu

e3

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Drainsource On Resistancemax

0.0051Ohm

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

75A

Fet Type

N-Channel

Jesd30 Code

S-PDSO-F5

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2012

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

5

Rds On Max Id Vgs

3.6m Ω @ 30A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1988pF @ 15V

Current Continuous Drain Id25

12A Ta 75A Tc

Power Dissipation Max

820mW Ta 33W Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)