NTTFS4C05NTAG

Specifications

Case Connection

DRAIN

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

FLAT

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

8

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

19.4A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fet Type

N-Channel

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

S-PDSO-F5

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2012

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yüzey Montaj

YES

Input Capacitance Ciss Max Vds

1988pF @ 15V

Rds On Max Id Vgs

3.6m Ω @ 30A, 10V

Terminal Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Continuous Drain Id25

12A Ta 75A Tc

Power Dissipation Max

820mW Ta 33W Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Montaj Tipi

Surface Mount