NTTFS4930NTAG

Specifications

Current Continuous Drain Id25

4.5A Ta 23A Tc

Rise Time

26.6ns

Rds On Max Id Vgs

23m Ω @ 6A, 10V

Terminal Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

DUAL

Input Capacitance Ciss Max Vds

476pF @ 15V

Yüzey Montaj

YES

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2012

Transistor Element Material

SILICON

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

790mW Ta 20.2W Tc

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain Currentmax Abs Id

7.2A

Fall Time Typ

3.6 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Number Of Elements

1

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Power Dissipation

2.06W

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Case Connection

DRAIN

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Terminal Formu

FLAT

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Drainsource On Resistancemax

0.03Ohm

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Gate Charge Qg Max Vgs

5.5nC @ 4.5V