NTS2101PT1G

Specifications

Nominal Vgs

-700 mV

Fall Time Typ

15 ns

Voltage Rated Dc

-8V

Direnç

65MOhm

Rise Time

15ns

Current Continuous Drain Id25

1.4A Ta

Terminal Pozisyonu

DUAL

Input Capacitance Ciss Max Vds

640pF @ 8V

Reach Svhc

No SVHC

Turn On Delay Time

6.2 ns

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Akım Değeri

-1.4A

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Gate Charge Qg Max Vgs

6.4nC @ 5V

Genişlik

1.35mm

Continuous Drain Current Id

1.4A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.8V 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

290mW

Radyasyon Dayanımı

No

Turn Off Delay Time

26 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Threshold Voltage

-700mV

Rds On Max Id Vgs

100m Ω @ 1A, 4.5V

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Yayın Yılı

1998

Kurşunsuz Kodu

yes

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Power Dissipation Max

290mW Ta

Yükseklik

900μm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260